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BSZ067N06LS3 G /MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ067N06LS3 G的规格信息
BSZ067N06LS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:67 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ67N6LS3GXT SP000451080

单位重量:100 mg

供应商BSZ067N06LS3 G
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深圳市河锋鑫科技有限公司BSZ067N06LS3 G华强北都会轩26010755-23903154
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BSZ067N06LS3 G的全球分销商及价格
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BSZ067N06LS3 GInfineon Technologies AG5000+:¥2.91
10000+:¥2.79
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10+:¥4.85
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1000+:¥2.315000+:¥5.82
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ChipOneStop
BSZ067N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:¥2.91
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Digi-Key 得捷电子
BSZ067N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:¥2.91
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element14 e络盟电子
BSZ067N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:¥2.91
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Mouser 贸泽电子
BSZ067N06LS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:¥2.91
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Mouser 贸泽电子
BSZ067N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8195
500:¥5.1415
5,000:¥3.6047
10,000:查看
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BSZ067N06LS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 35uA 漏源导通电阻:6.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.93
10+:¥5.24
30+:¥4.93
100+:¥4.62
500+:¥4.49
1000+:¥4.42